ROHM R6004END3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 59 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
264-3775
Herst. Teile-Nr.:
R6004END3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6004END3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.98Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der rauscharme Leistungs-MOSFET von ROHM eignet sich für Schaltnetzteile, hat einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein geringes Abstrahlungsrauschen, eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform.

Schnelles Umschalten

Parallele Nutzung ist einfach

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