ROHM RSR020N06HZG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- RS Best.-Nr.:
- 264-3846P
- Herst. Teile-Nr.:
- RSR020N06HZGTL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
24,00 €
(ohne MwSt.)
28,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | 0,48 € |
| 100 - 225 | 0,375 € |
| 250 - 975 | 0,368 € |
| 1000 + | 0,288 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-3846P
- Herst. Teile-Nr.:
- RSR020N06HZGTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Serie | RSR020N06HZG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Serie RSR020N06HZG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein hochzuverlässiger Transistor in Automobilqualität, der sich für DC/DC-Wandler eignet und ein kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage besitzt. Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode