Microchip TN0610 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 500 A 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 264-8912P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0610N3-G
- Marke:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Beutel)*
47,20 €
(ohne MwSt.)
56,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,944 € |
| 100 - 245 | 0,878 € |
| 250 - 495 | 0,86 € |
| 500 + | 0,84 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8912P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0610N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | TN0610 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie TN0610 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert – max. 2,0 V
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität – typisch 100 pF
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks