Microchip Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 40 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8930P
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2104K1-G
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Frei von sekundären Störungen
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