ROHM R6077VNZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 113 W, 3-Pin TO-3PF

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RS Best.-Nr.:
265-5425
Herst. Teile-Nr.:
R6077VNZC17
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R6077VNZ

Gehäusegröße

TO-3PF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.051Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

113W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

Halogenfreie Formmasse

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