ROHM RA1C030LD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 1 W, 3-Pin SMM1006
- RS Best.-Nr.:
- 265-5427P
- Herst. Teile-Nr.:
- RA1C030LDT5CL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SMM1006 | |
| Serie | RA1C030LD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | +7 to -0.2 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SMM1006 | ||
Serie RA1C030LD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs +7 to -0.2 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
ROHMs MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsvermögen eignen sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.
Geringer Durchgangswiderstand
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
Pb-freie Bleibeschichtung
Halogenfrei