ROHM RF4P060BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8

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Herst. Teile-Nr.:
RF4P060BGTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RF4P060BG

Gehäusegröße

HUML2020L8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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