ROHM RH6R025BH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 25 A 59 W, 8-Pin HSMT

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Herst. Teile-Nr.:
RH6R025BHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

RH6R025BH

Gehäusegröße

HSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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