Infineon 800V CoolMOS P7, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin PG-TO251-3

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RS Best.-Nr.:
273-7470
Herst. Teile-Nr.:
IPU80R1K4P7AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Gehäusegröße

PG-TO251-3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications, RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET bietet eine bessere Produktionsausbeute, da ESD-bedingte Ausfälle reduziert werden. Bei diesem MOSFET gibt es weniger Produktionsprobleme und weniger Rückläufer, und es ist einfach, die richtigen Teile für die Feinabstimmung von Designs auszuwählen. Sie ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, Einsparungen bei der Stückliste und geringere Montagekosten.

Vollständig optimiertes Portfolio

Erstklassige Leistung

Einfache Ansteuerung und Parallelschaltung

Integrierte Zenerdiode ESD-Schutz

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