STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 56 A 312 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 275-1384P
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA60N043DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STWA60N043DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Serie | STW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 43mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Serie STW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 43mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh DM9-Technologie, die für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche und einer schnellen Erholungsdiode geeignet ist. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.
Schnellwiederherstellungs-Gehäuse-Diode
Weltweit beste RDS pro Bereich unter Silizium-basierten Schnellwiederherstellungsgeräten
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Lawinengeprüft