Vishay SIHR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR
- RS Best.-Nr.:
- 279-9929P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | 8x8LR | |
| Serie | SIHR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße 8x8LR | ||
Serie SIHR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität
Avalanche-Energie-Nennwert
Geringere Schalt- und Leitungsverluste