Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60.6 A 59.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9940
Herst. Teile-Nr.:
SIR4409DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

59.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

126nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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