Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42.6 A 56.8 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9946P
Herst. Teile-Nr.:
SIR5112DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0149Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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