Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 227 A 132 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9959
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4301DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

227A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SIRS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0015Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

548nC

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Verbesserte Verlustleistung und geringerer RthJC

Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)

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