Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 225 A 240 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9970
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Alternative
Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
Stück (In einer VPE à 2)
8,94 €
(ohne MwSt.)
10,64 €
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 279-9970
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 225A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIRS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0025Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 225A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIRS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0025Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet