Vishay SISS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 66.6 A 65.7 W, 8-Pin 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 280-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5808DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SISS5808DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00745Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00745Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet