Vishay SQS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 192 A 119 W, 8-Pin 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 280-0029
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | 1212-8SLW | |
| Serie | SQS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0033Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 88nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 119W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße 1212-8SLW | ||
Serie SQS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0033Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 88nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 119W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
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