onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23 FDC6321C

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

0,59 €

(ohne MwSt.)

0,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 649 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 4.907 Einheit(en) mit Versand ab 16. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +0,59 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
354-4985
Herst. Teile-Nr.:
FDC6321C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-8/8 V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.89V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Digitale FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links