STMicroelectronics MDmesh STP12NM50FP N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
419-2204
Herst. Teile-Nr.:
STP12NM50FP
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

350 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.3mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Serie

MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics