Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
462-3376
Herst. Teile-Nr.:
SPP20N60C3HKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

CoolMOS C3

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

208 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.4mm

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

87 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.25mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C