STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 80 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 485-7692
- Herst. Teile-Nr.:
- STP4NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
12,42 €
(ohne MwSt.)
14,78 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 130 Einheit(en) mit Versand ab 12. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,484 € | 12,42 € |
| 10 - 20 | 2,234 € | 11,17 € |
| 25 - 95 | 2,114 € | 10,57 € |
| 100 - 495 | 1,644 € | 8,22 € |
| 500 + | 1,384 € | 6,92 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 485-7692
- Herst. Teile-Nr.:
- STP4NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 80 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.3 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6.2 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220