STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 485-7888
Herst. Teile-Nr.:: STP80NF10
Marke:: STMicroelectronics

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Herst. Teile-Nr.:: STP80NF10
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	STripFET II
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	135 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.15mm

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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