STMicroelectronics STripFET STP80PF55 P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
485-7901
Herst. Teile-Nr.:
STP80PF55
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Breite

4.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

190 nC @ 10 V

Höhe

9.15mm

Serie

STripFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics