STMicroelectronics Isoliert STripFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC

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STS4DNF60L
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.25mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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