Vishay IRF740LC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für industrielle und elektronische Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der hohe Drain-Source-Spannungen und moderate Dauerströme verarbeiten kann, womit er für Leistungsumwandlung und Schaltmodus-Schaltkreise in Automatisierungs- und elektrischen Systemen geeignet ist. Das Gerät wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Montage und thermische Schnittstelle geliefert.

• Maximale Drain-Spannung von 400 V sorgt für Hochspannungsschaltfähigkeit • 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht einen höheren Wärmedurchsatz • 550 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • Typische Gate-Ladung von 39 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie • Die Gate-Toleranz von ±30 V schützt das Gate vor übermäßigen Antriebsausweichen

• Geeignet für Schaltnetzteile in industriellen Steuerungen • Ideal für Wechselrichterstufen in Motorantrieben • Wird für Hochspannungsrelais- und Schütz-Ersatzschaltkreise verwendet • Kann für Beleuchtungs-Vorspannungs- und Leistungsfaktorkorrekturmodule verwendet werden • Wird mit diskreten Treiberstufen bei Prototyping und Reparatur verwendet

Es funktioniert über einen breiten thermischen Bereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und erhöhten Anschlussszenarien.

Es verwendet ein TO-220AB-Format mit Durchgangsbohrung, das eine Schraub- oder Clip-Montage an Kühlkörpern ermöglicht, um die Wärmeableitung und die mechanische Stabilität zu verbessern.

Das Gate kann bis zu ±30 V gesteuert werden

Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass es Beschränkungen für bestimmte gefährliche Stoffe für elektronische Komponenten einhält.