Infineon HEXFET IRF7104PBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
540-9626
Herst. Teile-Nr.:
IRF7104PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2,3 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

250 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,3 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

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