Infineon HEXFET IRFR4105PBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 27 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
540-9828
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4105PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

27 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

68 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

2.39mm

Der Infineon IRFR4105 ist der 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Der D-PAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Ohne Leitung