Infineon HEXFET IRF7401PBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8,7 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

0,26 €

(ohne MwSt.)

0,31 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
1 +0,26 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
540-9834
Herst. Teile-Nr.:
IRF7401PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,7 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

0.7V

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 4,5 V

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm