Infineon HEXFET IRF7406PBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
540-9856
Herst. Teile-Nr.:
IRF7406PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

5,8 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

59 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET 30 V, Infineon


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