Infineon HEXFET IRLL2705PBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 540-9907
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL2705PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL2705PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.7mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 32 nC @ 10 V | ||
Länge 6.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.7mm | ||
Serie HEXFET | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,1W maximale Verlustleistung - IRLL2705TRPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er hervorragende Schalteigenschaften und eignet sich daher für Aufgaben, die eine schnelle Reaktion und einen minimalen Energieverlust erfordern. Dieses Bauteil erhöht die Effizienz und Zuverlässigkeit elektronischer Schaltungen, insbesondere in Automatisierungs- und Kontrollsystemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 5,2A
• Drain-Source-Spannung von 55 V
• Niedriger Rds(on) von 65mΩ für effizienten Betrieb
• Kompaktes SOT-223-Gehäuse für platzsparende Designs
Anwendungsbereich
• Ideal für Stromversorgungsschaltungen
• Einsatz in Energiemanagementsystemen für Kraftfahrzeuge
• Häufig verwendet zum Schalten in Hochfrequenzschaltungen
• Lässt sich gut in Wechselrichter für erneuerbare Energiesysteme integrieren
Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?
Das Produkt unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V, was eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen ermöglicht.
Kann es bei hohen Temperaturen arbeiten?
Ja, er ist für eine maximale Betriebstemperatur von +150 °C ausgelegt, was die Zuverlässigkeit in schwierigen Umgebungen gewährleistet.
Wie bewältigt dieses Bauteil die Wärme während des Betriebs?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,1 W sorgt er für ein effektives Wärmemanagement und reduziert das Risiko einer Überhitzung.
Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?
Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage geeignet und lässt sich leicht in Standard-Leiterplattenlayouts integrieren.
Was macht sie zu einer geeigneten Wahl für Automatisierungsprojekte?
Sein schnelles Schaltvermögen und sein geringer Einschaltwiderstand tragen zu erheblichen Energieeinsparungen bei und erhöhen die Effizienz automatisierter Systeme.
