Infineon HEXFET IRFR1205PBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 44 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
541-0115
Herst. Teile-Nr.:
IRFR1205PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

44 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.39mm

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 44A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 107W maximale Verlustleistung - IRFR1205TRPBF


Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET ist für ein effizientes Power-Management in einer Vielzahl von Anwendungen konzipiert. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 44 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für den professionellen Einsatz in der Elektronik- und Automatisierungsbranche. Die Enhancement-Mode-Konfiguration verbessert die Schalteffizienz und damit die Leistungsfähigkeit der Schaltung.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Drain-Source-Widerstand minimiert die Verlustleistung

• Verarbeitet eine Verlustleistung von bis zu 107 W

• Hohe maximale Betriebstemperatur von 175°C für breite Anwendbarkeit

• Optimierte Gate-Ladung für verbesserte Schalteffizienz

• Oberflächenmontiertes Design vereinfacht die Integration in kompakte Schaltungen

• Die bleifreie Konstruktion entspricht den heutigen Umweltstandards

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromrichtern zur Verbesserung des Wirkungsgrads

• Wird in Motorsteuerungsschaltungen für präzise Funktionalität eingesetzt

• Ideal für Schaltregler zur Spannungssteuerung

• Geeignet für erneuerbare Energiesysteme

• Geeignet für kompakte tragbare Elektronik

Welche Bedeutung hat der niedrige On-Widerstand in diesem Modell?


Der niedrige Einschaltwiderstand reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs und erhöht die Effizienz und Zuverlässigkeit bei Hochstromanwendungen.

Welchen Nutzen hat die Konfiguration im Anreicherungsmodus für das Schaltungsdesign?


Der Anreicherungsmodus bietet eine bessere Kontrolle über die Schalteigenschaften und gewährleistet einen reibungslosen Betrieb und eine optimale Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen.

Kann dieses Bauteil bei extremen Temperaturen eingesetzt werden?


Ja, er ist für den Einsatz in Umgebungen von -55°C bis +175°C ausgelegt und damit für verschiedene industrielle Anwendungen geeignet.

Was sind die elektrischen Auswirkungen der Gate-Source-Spannungsgrenzen?


Die Gate-Source-Spannungsbegrenzungen gewährleisten einen sicheren Betrieb und verhindern Schäden, so dass das Design flexibel ist, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Wie kann bei der Verwendung dieses Bauteils eine effektive Wärmeableitung erreicht werden?


Eine angemessene Kühlung oder Belüftung erleichtert die effektive Wärmeableitung und gewährleistet eine stabile Leistung bei längerem Betrieb.