Teile-Nr.

Infineon HEXFET IRF7317PBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 541-0317
Herst. Teile-Nr.:: IRF7317PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7317PBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 541-0317
Herst. Teile-Nr.:: IRF7317PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N, P
	Dauer-Drainstrom max.	5,3 A; 6,6 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	29 mΩ, 58 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	0.7V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 4,5 V, 19 nC @ 4,5 V
	Breite	4mm
	Länge	5mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Transistor-Werkstoff	Si
	Höhe	1.5mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Serie	HEXFET

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N, P
	Dauer-Drainstrom max. 5,3 A; 6,6 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße SOIC
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 29 mΩ, 58 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 0.7V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.7V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 4,5 V, 19 nC @ 4,5 V
	Breite 4mm
	Länge 5mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Transistor-Werkstoff Si
	Höhe 1.5mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Serie HEXFET