Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 541-1966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIB7N50APBF
- Marke:
- Vishay
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| 1 - 9 | 2,58 € |
| 10 - 49 | 2,24 € |
| 50 - 99 | 2,13 € |
| 100 - 249 | 2,01 € |
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- 541-1966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIB7N50APBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Gehäusegröße | TO-220FP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 520 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 60 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 9.8mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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