Infineon HEXFET IRF540NSPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 541-2458
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NSPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1,19 €
(ohne MwSt.)
1,42 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,19 € |
| 10 - 49 | 1,00 € |
| 50 - 99 | 0,95 € |
| 100 - 499 | 0,86 € |
| 500 + | 0,77 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-2458
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NSPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 33 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 44 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 130 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 33 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 44 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 130 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 71 nC @ 10 V | ||
Höhe 4.83mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||