Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,2 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 542-9513
Herst. Teile-Nr.:: IRFBC40PBF
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,2 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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Herst. Teile-Nr.:: IRFBC40PBF
Marke:: Vishay

IRFBC40PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6,2 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.7mm
Länge	10.41mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	9.01mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,2 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor

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