Infineon HEXFET IRL2910SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 543-0377
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL2910SPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRL2910SPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 26 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 3,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 140 nC @ 5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 26 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 3,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.83mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Der Infineon 100-V-Single-N-Kanal-IR-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Das D2Pak ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft