Infineon HEXFET IRLR3410PBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 543-0585
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3410PBF
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3410PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 105 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 79 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 5 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 105 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 79 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 5 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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