Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 3,8 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 543-1465
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4710PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 543-1465
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4710PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 75 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 3,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 75 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 3,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 110 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 8.77mm | ||