Infineon HEXFET IRFR5305PBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 543-2496
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305PBF
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 31 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 31 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V | ||
Höhe 2.39mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFR5305TRPBF
Dieser MOSFET bietet fortschrittliche Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Sein niedriger Durchlasswiderstand und seine hohe Strombelastbarkeit tragen zu einem effektiven Energiemanagement bei. Mit seinem robusten Design und seinen zuverlässigen elektrischen Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil für verschiedene Umgebungen in Automatisierungs- und Elektroniksystemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Geringer Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 31A
• Konzipiert für den einfachen Einsatz bei Oberflächenmontageanwendungen
• Geeignet für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung
• Ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 110 W für verschiedene Anwendungen
Anwendungsbereich
• Verwendet in Energiemanagementsystemen
• Geeignet für Motorsteuerung
• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte
• Einsatz in Automobilschaltungen zur Verbesserung der Effizienz
Welches sind die empfohlenen Löttechniken für den Einbau?
Verwenden Sie Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken, um optimale Ergebnisse zu erzielen und eine minimale thermische Belastung des Bauteils zu gewährleisten.
Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?
Ja, es arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.
Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on)?
Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leistungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.
Wie kann ich ein korrektes Schaltverhalten sicherstellen?
Implementieren Sie geeignete Gate-Treiberschaltungen, um präzise Ein- und Ausschaltcharakteristiken zu erreichen, und beachten Sie dabei die vorgeschlagenen Triggerspannungen.
Ist dies mit Standard-PCB-Layouts kompatibel?
Ja, er wurde im DPAK-Gehäuse entwickelt, was eine unkomplizierte Integration in typische PCB-Designs ermöglicht, ohne dass spezielle Modifikationen erforderlich sind.