Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 700 mW, 3-Pin TSM
- RS Best.-Nr.:
- 601-3349
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K14T(F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 601-3349
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K14T(F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TSM | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 39 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 700 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TSM | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 39 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 700 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 4 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.7mm | ||
- Ursprungsland:
- JP