Toshiba SSM3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
- RS Best.-Nr.:
- 639-5499
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J109TU(TE85L)
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 639-5499
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J109TU(TE85L)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | SSM3 | |
| Gehäusegröße | UFM | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie SSM3 | ||
Gehäusegröße UFM | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 130 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.7mm | ||
- Ursprungsland:
- JP