Teile-Nr.

Toshiba SSM3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM

RS Best.-Nr.:: 639-5512
Herst. Teile-Nr.:: SSM3J117TU(TE85L)
Marke:: Toshiba

Toshiba SSM3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 639-5512
Herst. Teile-Nr.:: SSM3J117TU(TE85L)
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	UFM
	Serie	SSM3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	225mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	800mW
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße UFM
	Serie SSM3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 800mW
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: JP

Toshiba SSM3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM

MOSFET-P-Kanal, SSM3J-Serie, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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