Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 110 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
641-6057
Herst. Teile-Nr.:
NP110N04PDG-E1-AZ
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

110 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

1800 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

230 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.15mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10mm

Höhe

4.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)