Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 110 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 641-6057
- Herst. Teile-Nr.:
- NP110N04PDG-E1-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 641-6057
- Herst. Teile-Nr.:
- NP110N04PDG-E1-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 1800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V | |
| Länge | 10mm | |
| Breite | 9.15mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 4.45mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 110 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 1800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 230 nC bei 10 V | ||
Länge 10mm | ||
Breite 9.15mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 4.45mm | ||