Infineon HEXFET IRF7240PBF P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
650-3937
Herst. Teile-Nr.:
IRF7240PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

10,5 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

15 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4mm

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 10,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40 V maximale Drain-Source-Spannung - IRF7240TRPBF


Dieser P-Kanal-MOSFET eignet sich hervorragend für Power-Management-Lösungen. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 10,5 A und einer Drain-Source-Spannung von 40 V ist er für die Oberflächenmontage in einem kompakten SOIC-Gehäuse ausgelegt. Mit einer Länge von 5 mm, einer Breite von 4 mm und einer Höhe von 1,5 mm eignet er sich für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Batteriemanagementsysteme.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt hohe Stromlasten bis zu 10,5 A, ideal für anspruchsvolle Aufgaben

• Effektiver Betrieb im Erweiterungsmodus für verbesserte Kontrolle

• Entwickelt für thermische Leistung mit einem maßgeschneiderten Leadframe

• Geeignet für mehrere Anwendungen, spart Platz an Bord

• Kompatibel mit Standard-Lötverfahren wie Infrarot und Welle

Anwendungen


• Einsatz in Batteriemanagementsystemen zur Leistungsüberwachung

• Einsatz in Lastmanagement-Schaltungen, die eine effiziente Leistungsmanipulation erfordern

• Geeignet für Kraftfahrzeuge, bei denen Platz und Effizienz entscheidend sind

• Integrierte Stromversorgungen für zuverlässiges Lasthandling

Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?


Der Baustein weist aufgrund seines maßgeschneiderten Leadframe-Designs verbesserte thermische Eigenschaften auf, die einen komfortablen Betrieb innerhalb eines Sperrschichttemperaturbereichs von -55°C bis +150°C ermöglichen.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Gesamtleistung aus?


Mit einem außergewöhnlich niedrigen Rds(on) von nur 25mΩ reduziert dieser MOSFET die Leistungsverluste während des Betriebs erheblich, wodurch die Effizienz von Leistungsschaltungen erhöht und die Wärmeableitung verbessert wird.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen verwendet werden?


Ja, die Parameter des Bauelements, wie z. B. die typische Gate-Ladung von 73 nC bei 10 V, ermöglichen einen effektiven Betrieb in Hochfrequenzanwendungen, wodurch es sich für verschiedene elektronische Geräte eignet.

Was sollte für einen optimalen Einsatz in Schaltkreisen beachtet werden?


Es muss unbedingt sichergestellt werden, dass die Gate-Source-Spannung innerhalb der maximalen Grenzen von ±20 V bleibt, um Schäden zu vermeiden und so die Zuverlässigkeit und Leistung des Bauelements in der Anwendung zu erhalten.