Infineon HEXFET IRF7821PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
650-4069
Herst. Teile-Nr.:
IRF7821PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13,6 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,3 nC @ 4,5 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+155 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

1.5mm

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