Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
650-4198
Herst. Teile-Nr.:
IRF9540NSPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

117 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

3,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.65mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

97 nC @ 10 V

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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