Infineon HEXFET IRFR3411PBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
650-4328
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3411PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

32 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

44 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

130 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

2.39mm

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 32A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRFR3411TRPBF


Dieser MOSFET ist für elektronische Hochleistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung, da er eine robuste Leistung mit niedrigem On-Widerstand und einem breiten Betriebstemperaturbereich bietet. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie wird ein effizienter Betrieb gewährleistet, so dass er sich für verschiedene Industrie- und Automatisierungsaufgaben eignet. Sein oberflächenmontiertes DPAK-Gehäuse (TO-252) erleichtert die Integration in elektronische Schaltungen, während das Enhancement-Mode-Design die Schalteffizienz optimiert.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 32A für vielseitige Anwendungen

• Maximale Nennspannung von 100 V für flexiblen Einsatz

• Niedriger RDS(on) von 44mΩ reduziert Leistungsverlust und Wärmeentwicklung

• Maximale Verlustleistung von 130 W für verbesserte Haltbarkeit

• Unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen für verbesserte Schaltkreisleistung

• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Integration

Anwendungsbereich


• Einsatz in DC-DC-Wandlern in industriellen Stromversorgungssystemen

• Effektiv für Motorsteuerungsschaltungen in der Robotik und Automation

• Geeignet für das Energiemanagement in Telekommunikationsgeräten

• Einsatz in elektronischen Beleuchtungssystemen zur Steigerung der Energieeffizienz

Welche Arten der Leiterplattenmontage sind mit diesem Gerät kompatibel?


Es ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt, was die Vielseitigkeit der Montagemethoden gewährleistet.

Kann dieses Gerät gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, er ist für gepulste Ableitströme von bis zu 110 A ausgelegt, was Flexibilität bei transienten Lastzuständen ohne Schäden ermöglicht.

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Bauteils?


Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt 1,2°C/W, was ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs ermöglicht.

In welchem Temperaturbereich kann es betrieben werden?


Dieser MOSFET arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist für extreme Umgebungsbedingungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 48nC bei 10 V sorgt er für schnellere Schaltzeiten, wodurch Verluste reduziert und die Effizienz von Schaltungen verbessert werden.