Infineon HEXFET IRLL024ZPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5 A 2,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.5 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
RS Best.-Nr.
486-2155

Stück (In einer VPE à 5)

4,06 €

(ohne MwSt.)

4,83 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
650-4463
Herst. Teile-Nr.:
IRLL024ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

60 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Länge

6.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7 nC bei 5 V

Breite

3.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

1.7mm