Infineon HEXFET IRFB4410PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 650-4766
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 650-4766
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 88 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.82mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.66mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 88 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.82mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.66mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 9.02mm | ||
Serie HEXFET | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Verfügbar bei den meisten Vertriebspartner
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom