Infineon HEXFET IRFR120ZPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A 35 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 650-4817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR120ZPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 650-4817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR120ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 35 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,9 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 35 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,9 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 6.22mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie HEXFET | ||